1.需求详情：

单晶硅材料是现代微电子制造业的基础，目前绝大部分的集成电路芯片和半导体器件都是在硅片上加工完成。然而随着IC制造技术向45纳米以下线宽发展，现有的体硅材料及其工艺越来越接近其物理极限，寻找增强型衬底材料已成为当务之急。 

2.需解决的主要技术难题：

离子注入会使单晶硅晶格结构遭受严重破坏，能量越高损伤越大；注入的离子虽经退火后可以在表面下一定空间内形成氧化硅层，但这只是SiO2和SiOx的混合体，距离完美的SiO2结构有相当的距离，此外氧化层在硅片内的深度、厚度均难以控制；而键合法片间形成的主要也是SiO2-Si（OH）x混合物，直接影响键和强度和绝缘性能。 

3.期望实现的主要技术目标：

（1）.低成本

（2）.当二氧化硅膜层的厚度小于或者超过300纳米时，分别有对应的工艺可保证成膜效率和质量

4.企业简介：

双良节能（600481）以绿色环保为己任，不断开拓创新，在“节能节水、新能源”等领域形成核心竞争力，致力于成为领先的数字化驱动的全生命周期碳中和解决方案服务商；溴化锂机组及智能化全钢结构间接空冷系统被认定 “单项冠军产品”，被央视聚焦纪录，誉为“造福人类，大国重器”，荣获中国工业大奖企业奖与项目奖双料大奖，是国家首批服务型制造示范企业。

公司已形成多晶硅核心装备、单晶硅片、电池组件、“分布式光伏工程总包”的光伏全产业链，并深耕地热、氢能、绿电、储能等清洁能源技术研发及装备生产，以数字化驱动的碳中和综合服务，打造世界一流的“清洁能源解决方案”，助推能源革命，为人类生态文明进步，实现碳达峰、碳中和目标贡献智慧和力量。

双良集团有限公司成立于1982年，经过40年的专注与创新，集节能环保、清洁能源、生物科技、化工新材料于一体，拥有22家全资和控股企业，连续多年名列中国企业500强，中国制造企业500强，世界500强企业中有300多家是双良的合