需求背景：

半导体装置的制造需要对如硅晶片的半导体晶片进行退火的工艺。退火可包含掺杂剂激活和归因于熔融的结晶

举例来说，在杂质激活中，可通过离子注入将掺杂剂注入到半导体晶片中，且可通过照射激光束来激活所注入杂质。另外，在归因于熔融的结晶中，可将激光束照射到非晶硅上以使其熔融和结晶，从而形成晶体硅(例如，单晶硅或多晶硅)。根据现有技术，在基于激光的杂质激活中，控制杂质的扩散深度存在限制，且因此，杂质扩散到非预期深度，且因此，半导体装置中的泄漏电流增加，或最近，归因于半导体装置的大小的小型化，难以从浅结开始。

需解决的主要技术难题：

需能够执行非熔融工艺和熔融工艺以及控制目标物体的退火深度。

需将第一激光头单元和第二激光头单元的驱动变更成选择性驱动或同时驱动

期望实现的主要技术目标：

使用激光诱导粗化处理后的硅制备的太阳能电池，最高的能量转化效率需要达到14.2%，外量子效率在400 nm到1um的光照下需保持在60%到90%之间。 

企业简介：

双良新能科技（包头）有限公司成立于2022年3月，是双良光伏产业的又一重要布局，公司位于连接华北与西北的“世界绿色硅都”——内蒙古包头市，专注于高效光伏组件的研发、生产和销售。公司总体规划20GW高效光伏组件，占地面积约100多亩。一期5GW高效光伏组件项目已于2022年9月顺利实现量产。