一、需求背景：

氮化硅薄膜作为一种重要的多功能材料，具有绝缘性良好、致密性高等特点。在微电子材料及其器件生产，硅基材料，新兴微机械加工等领域都具有广泛的应用 企业计划掌握高质量氮化硅薄膜制备的工艺机制，实现高质量氮化硅薄膜的规模化制备，抢占新型电子薄膜材料领域的制高点。

二、具体需求：

聚焦高质量氮化硅薄膜的性能调控方法及物理机制，攻关氮化硅薄膜的制备工艺参数；探索PECVD制备高质量氮化硅薄膜的工艺过程，实现高质量氮化硅薄膜的规模化制备。指标要求：a. 薄膜直径最高达150 mm；b. 薄膜厚度在100-10000 Å之间；c. 击穿场强大于100 V/cm，电阻率~1000 Ω·cm-1；d. 折射率1.8-2.5；e. 薄膜透过率可在600-800 nm超过90%。