需求编号:
发布时间:2023-12-22
所在地:浙江省
有效期:
研发经费: 面议
研发周期:
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一、需求背景:
企业寻求一种高阻薄膜电阻合金靶材,利用合金中的杂质和缺陷,提高合金的电阻率,增加杂质和缺陷的含量,尤其增加半导体材料Si的含量使初阻值达到 60k-90kΩ。以此达到产品升级。
二、具体需求:
1.电阻范围:60KΩ-90KΩ
2.电阻率温度系数≤±50PPM/oC
建立高阻薄膜电阻合金靶材生产线,并实现应用示范。
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