该产品是通过微型电容工艺制成的新微型芯片电容器

该技术主要是通过微型电容工艺，综合解决了芯片电容器的不同制作方法中存在的不同问题。微型芯片电容器是微波集成电路、多芯片组件封装中一个非常重要的电子器件，起旁路和滤波作用，使微波频段工作的IC电源电压稳定。要求其体积小、Q值高、电容值范围宽、成本低。

但不同工艺中存在不同弊端：

技术原理：

硅基Al2O3薄膜微型芯片电容器包括低阻(电阻率≤1×10-3Ω·cm)硅衬底、非晶Al2O3绝缘薄膜、上电极、下电极四层结构。采用射频磁控溅射法，以高纯Al2O3陶瓷为靶材，在单晶Si衬底生长Al2O3非晶绝缘薄膜，接着在薄膜表面溅射生长Ti或TiW层和Au层，再经电镀Au加厚后，通过光刻、腐蚀的方法制作上电极图形，根据芯片电容厚度的要求对Si片背面减薄，在背面溅射Ti或TiW层和Au层作为下电极，划片后制作成芯片电容。

该电容器结构简单，工艺兼容性强，Q值高，低损耗，工作温度范围大

采用低阻硅片做衬底，不仅克服MOS结构电容C值随电压V变化的缺点，同时提高芯片电容工作时电容量的稳定性，而且减小了芯片电容器等效串联电阻，提高了芯片电容的Q值，损耗小，在电路或网络的选择性愈佳，工作温度范围也大。

基于上述原理，硅基Al2O3薄膜芯片电容器结构简单，制作工艺与普通半导体薄膜工艺兼容，制作容易，成本低廉，一致性较好。

可焊性好、寿命长， 成本低。

该硅基Al2O3薄膜电容器在1MHz下损耗角正切仅为0.005，其性能良好。该电容器上电极和下电极表面均为金材料，可焊性好，成本低。上电极电镀金加厚，还可提高金丝引线的键合强度。

该产品具有耐压性，其体积小，体积可变，灵活性强

因其结构，非晶Al2O3薄膜作为所述的芯片电容器的介质薄膜，低阻硅片作衬底，以达到提高电容容量，减小面积，耐压，减小串联寄生电阻的目的。因其小，所以适合表面贴装。并且可根据实际电路和封装需要，灵活控制电容量、芯片电容器面积和厚度。电容量可从几十皮法到几千皮法，厚度最小可到100μm。

项目进展：

样品已出，现寻求与企业合作，进行中试，生产。

合作模式：

可技术买断，技术入股，技术转让。